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美國 EOT 高速光電探測器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm  2021-09-07

筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產品

EOT 的放大光電探測器()包含利用光伏效應將光功率轉換為電流的 PIN 光電二極管和允許測量<1 mW 輸入功率的固定增益跨阻放大器。 當端接到示波器的 50 Ω 電阻時,可以測量激光的脈沖寬度。當端接到頻譜分析儀的 50 Ω 電阻時,可以測量激光器的頻率響應。 

EOT 的放大光電探測器帶有自己的墻上插入式電源 將同軸電纜插入光電探測器的 SMA 或 BNC 輸出連接器并在示波器或頻譜分析儀上端接 50 Ω 即可運行。

特征內置跨阻放大器,占地面積小,外墻插電電源,帶寬高達 10 GHz

選項,探測器材質,活動區,提供光纖耦合或自由空間選項

應用,監測高重復率、外部調制的連續激光器,查看<1 mW 的激光功率


產品型號
縱向   橫向
型號 貨號 操作 名稱
ET-3010 E80040601 銦鎵砷 InGaAs ET-3010 光電探測器 >2 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<175ps/<175ps; 響應度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>2GHz; 有效面積直徑:100um; 輸出連接:BNC 8-10周
ET-3000 E80040602 銦鎵砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 銦鎵砷光電探測器 >2 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:銦鎵砷 上升/下降時間:<175ps/<175ps; 響應度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>2GHz; 有效面積直徑:100um; 輸出連接:BNC 8-10周
ET-2070 E80040615 硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT   [PDF] 材料:Silicon 上升/下降時間:<3ns/<3ns; 響應度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸出連接:BNC 8-10周
ET-2060 E80040616 硅 Silicon ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:Silicon 上升/下降時間:<320ps/<320ps; 響應度:0.47A/W@830nm; 帶寬:>1.1GHz; 有效面積直徑:0.4mm; 輸出連接:BNC 8-10周
ET-2040 E80040617 硅 Silicon ET-2040 硅光電探測器 >25MHz 美國EOT   [PDF] 材料:Silicon 上升/下降時間:<30ns/<30ns; 響應度:0.6A/W@830nm; 帶寬:>25MHz; 有效面積直徑:4.57mm; 輸出連接:BNC 8-10周
ET-5000F E80040603 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, >10 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<28ps/<28ps; 響應度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 光纖連接,FC/UPC 8-10周
ET-5000 E80040604 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美 國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<28ps/<28ps; 響應度:1.3A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 光纖連接,不適用 8-10周
ET-4000F E80040605 砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, >12.5 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:GaAs 上升/下降時間:<30ps/<30ps; 響應度:0.38A/W@830nm; 帶寬:>12.5GHz; 有效面積直徑:60um; 輸出連接:SMA 光纖連接 FC/UPC、SMF28e 8-10周
ET-4000 E80040620 砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000, >12.5 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:GaAs 上升/下降時間:<30ps/<30ps; 響應度:0.53A/W@830nm; 帶寬:>12.5GHz; 有效面積直徑:60um; 輸出連接:SMA 光纖連接c 不適用 8-10周
ET-3600F E80040606 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600F, >22 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<16ps/<16ps; 響應度:0.7A/W@1300nm; 帶寬:>22GHz; 有效面積直徑:20um; 輸出連接:SMA 光纖連接 FC/UPC、SMF28e 8-10周
ET-3600 E80040607 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600, >22 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<16ps/<16ps; 響應度:0.7A/W@1300nm; 帶寬:>22GHz; 有效面積直徑:20um; 輸出連接:SMA 光纖連接 不適用 8-10周
ET-3500F E80040608 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500F, >15 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<25ps/<25ps; 響應度:0.65A/W@1300nm; 帶寬:>15GHz; 有效面積直徑:32um; 輸出連接:SMA 光纖連接 FC/UPC,SMF28e 8-10周
ET-3500AF E80040609 銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-3500AF 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<35ps/<35ps; 轉換增益:1620 V/W @1310 nm 帶寬:20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑:32um; 輸出連接:SMA 8-10周
ET-4000AF E80040621 砷化鎵 GaAs 帶放大光電探測器 ET-4000AF美國EOT   [PDF] 材料:GaAs 上升/下降時間:<35ps/<35ps; 轉換增益:970V/W @ 850 nm 帶寬:20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑:60um; 輸出連接:SMA 8-10周
ET-5000AF E80040610 銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-5000AF 砷化鎵   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<35ps/<35ps; 轉換增益:2350 V/W @2000 nm 帶寬:20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 8-10周
ET-4000A E80040622 砷化鎵 GaAs 帶放大光電探測器 ET-4000A 美國EOT   [PDF] 材料:GaAs 上升/下降時間:<35ps/<35ps; 轉換增益:1340 V/W @ 850 nm 帶寬:20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑:60um; 輸出連接:SMA 8-10周
ET-5000A E80040611 銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-5000A 10 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<35ps/<35ps; 轉換增益:3250 V/W @2000 nm 帶寬:20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 8-10周
ET-3500A E80040612 銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-3500A 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<25ps/<25ps; 響應度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>15GHz; 有效面積直徑:32um; 輸出連接:SMA 8-10周
ET-3000A E80040613 銦鎵砷 InGaAs 放大光電探測器 ET-3000A 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<400ps/<400ps; 轉換增益:900 V/W @1300 nm 帶寬:30 kHz to 1.5GHz 有效面積直徑:100um; 輸出連接:BNC 8-10周
ET-2030A E80040618 硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT   [PDF] 材料:Silicon硅 上升/下降時間:<500ps/<500ps; 轉換增益:450 V/W @830 nm 帶寬:30 kHz to 1.2 GHz 有效面積直徑:400um; 輸出連接:BNC 8-10周
ET-3500 E80040614 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500, >15 GHz 美國EOT   [PDF] 材料:InGaAs 上升/下降時間:<25ps/<25ps; 響應度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>15GHz; 有效面積直徑:32um; 輸出連接:SMA 光纖連接 不適用 8-10周
ET-2030 E80040619 硅 Silicon ET-2030 高速 硅光電探測器 >1.2GHz 美國EOT   [PDF] 材料:Silicon 上升/下降時間:<300ps/<300ps; 響應度:0.47A/W@830nm; 帶寬:>1.2GHz; 有效面積直徑:0.4mm; 輸出連接:BNC 8-10周









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